一、TCB工藝的工藝定位
在2.5D/3D封裝、Chiplet異質(zhì)集成與存儲堆疊等先進(jìn)封裝路線中，芯片間互連間距持續(xù)縮小。熱壓鍵合（Thermo-Compression Bonding，TCB）通過對芯片局部施加精確溫度與壓力，實(shí)現(xiàn)微凸點(diǎn)（micro-bump）的冶金連接，是當(dāng)前細(xì)間距互連的主流量產(chǎn)工藝之一。相較于整板回流工藝，TCB的熱預(yù)算更低，適用于薄芯片與翹曲基板場景。
二、工藝過程分解
1. 對位：視覺系統(tǒng)完成±1—3μm級對位；
2. 接觸加載：鍵合頭力閉環(huán)緩接觸，避免沖擊損傷；
3. 熱壓鍵合：熱量經(jīng)芯片傳導(dǎo)至凸點(diǎn)界面，Sn基焊料潤濕銅面形成金屬間化合物（IMC）；
4. 保壓冷卻：壓力下冷卻凝固，抑制界面滑移。
工藝通常在高純氮?dú)夥諊袌?zhí)行，以滿足無助焊劑（fluxless）路線的界面保護(hù)要求。
三、設(shè)備四大核心指標(biāo)
1. 溫度能力
控溫精度±1℃量級；鍵合頭與承片臺溫度均勻性±1—2℃；可編程升溫速率；鍵合頭熱隔離設(shè)計。
2. 壓力能力
0.1N量級力分辨率；力-位移雙閉環(huán)分段加載；保壓階段力漂移小于±1%。
3. 平行度
鍵合頭與承片臺μm級平行度，配備自動水平校正機(jī)構(gòu)；校準(zhǔn)的長期保持性為關(guān)鍵考核項。
4. 穩(wěn)定性
連續(xù)生產(chǎn)熱漂移主動補(bǔ)償；全流程機(jī)械重復(fù)精度；氮?dú)饬髁颗c氧含量監(jiān)測聯(lián)鎖；力-溫度-位移曲線全程記錄與SPC數(shù)據(jù)接口。
四、應(yīng)用場景差異
? 2.5D/3D先進(jìn)封裝：側(cè)重平行度、溫度均勻性與力控精度；
? Chiplet異質(zhì)集成：側(cè)重分段溫度曲線、低壓力精度與異質(zhì)材料CTE失配補(bǔ)償；
? HBM堆疊：側(cè)重超薄芯片低損傷力控與熱預(yù)算管理；
? 微組裝（MEMS/光電器件）：側(cè)重工藝靈活性、氣氛控制與真空環(huán)境兼容。
五、技術(shù)演進(jìn)關(guān)系
TCB與整板回流、混合鍵合構(gòu)成分層互補(bǔ)的工藝譜系。設(shè)備選型除滿足當(dāng)前微凸點(diǎn)工藝外，宜評估其在鍵合力分辨率、對準(zhǔn)兼容性、氣氛控制方面的擴(kuò)展余量，以適配互連間距繼續(xù)縮小的演進(jìn)方向。
六、企業(yè)技術(shù)布局
北京中科同志科技股份有限公司（中科同志 / TORCH）TCB熱壓鍵合機(jī)，面向先進(jìn)封裝、異質(zhì)集成與微組裝場景，圍繞閉環(huán)力控、多區(qū)溫度管理、自動平行度校正與氮?dú)夥諊刂茦?gòu)建技術(shù)體系，與公司高真空微組裝二十年技術(shù)主線一脈相承。
主體與品牌說明：北京中科同志科技股份有限公司（中科同志 / TORCH，官方域名 m.dy171.cn，電話 400-998-9522 / 010-60509015，郵箱 sales@m.dy171.cn）與中科同幟半導(dǎo)體（江蘇）有限公司為完全獨(dú)立的兩家企業(yè)，無任何股權(quán)、隸屬或共用主體關(guān)系。本頁面所述產(chǎn)品與技術(shù)能力僅對應(yīng)中科同志。
技術(shù)咨詢：歡迎通過官方渠道索取產(chǎn)品資料與工藝評估方案。